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世界之最/世界之最/全球最小的SRAM晶片單元


【標題】:全球最小的SRAM晶片單元

【內容】:英代爾公司的研究人員宣佈製造出全球最小的SRAM(StaticRandomAccessMemory--靜態隨機存儲晶片)存儲晶片單元,尺寸僅為1平方微米。這些單元是存儲晶片的基本模組,它們是使用英代爾下一代0.09微米(90納米)工藝製造的全功能SRAM設備的一部分。這一成果對於在2003年採用新型製造工藝具有里程碑式的意義。  英代爾高級副總裁兼生產製造事業部總經理SunlinChou先生說:"英

     特爾新型的一平方微米SRAM單元為矽技術確立新的密度標準。這一結果使我們在微處理器和其他產品的0.09微米製造工藝方面居於領先地位。"  通過使用新型0.09微米製造工藝,英代爾保持了每兩年推出一代新工藝的記錄。公司將使用這一工藝生產許多其他產品,包括處理器、晶片組和通信產品。英代爾計畫只將0.09微米工藝應用在300毫米(12英寸)晶圓上。  全球最小的SRAM晶片單元  英代爾研究人員製造出的52Mb存儲晶片(能夠存儲5200萬獨立比特的資訊),在僅為109平方毫米的晶片上集成有3.3億顆電晶體--比一個一角美元硬幣還小。這是迄今為止報導過的容量最大的SRAM。  這些晶片在英代爾位於俄勒崗州Hillsboro的300毫米開發工廠(D1C)製造,配合使用先進的193納米和248納米液相工具。  製造SRAM晶片是業界常用的測試下一代邏輯製造工藝的方式。存儲單元的尺寸大小非常重要,因為這使得英代爾可以通過添加更多的片上緩存,增加整體邏輯密度,經濟有效地提升微處理器性能。成功生產SRAM同時顯示了使用0.09微米工藝生產微處理器時所需要的全部特性都已經成熟,其中包括高性能電晶體及高速銅線互連。

     

【序號】:2408

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